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プロセス技術
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90nmCMOS メタル6/7/8/9層配線 |
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遅延時間
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22ps(2入力NANDゲート、 FO=2) |
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消費電力
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0.0015uW/MHz/ゲート（当社標準条件） |
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電源電圧
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core
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1.0V |
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I/O
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3.3V, 3.0V, 2.5V |
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項目
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記号
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定格値 |
単位 |
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電源電圧
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VDD
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−0.3〜4.0(VDDH）、-0.5〜1.6(VDD) |
V |
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入力電圧
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VIN
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−0.3〜VDDH＋0.3 |
V |
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出力電流
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IOUT
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±15(12mAバッファ) |
mA |
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保存温度
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TSTG
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−65〜150（セラミック） |
℃ |
| −55〜125（プラスチック） |
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項目
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記号
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定格値 |
単位 |
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電源電圧
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VDD
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3.0〜3.6（3.3V系）、2.7〜3.3（3.0V系）、2.3〜2.7（2.5V系）、0.9〜1.1（1.0V系） |
V |
動作周囲
温度
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TA
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0〜70、−40〜85 |
℃ |
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シングルポートRAM
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同期式
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最大640Kbit/ブロック、2〜160bit、16〜16Kワード（1R/W） |
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同期式
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高速版 最大1280Kbit/ブロック、4〜320bit、16〜16Kワード（1R/W） |
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同期式
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Compact版 最大32Kbit/ブロック、2〜128bit、8〜512ワード（1R/W） |
デュアルポートRAM |
同期式
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最大320Kbit/ブロック、2〜160bit、64〜16Kワード（2R/W） |
2ポートRAM |
同期式
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最大36Kbit/ブロック、2〜144bit、4〜1Kワード（1R/1W） |
ROM |
同期式
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最大512Kbit/ブロック、2〜128bit、64〜8Kワード（1R） |
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