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| KS Series |
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Technology
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0.13umCMOS 6/7/8 Layer Metal |
Performance
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30ps（2 Input NAND gate、F.O.＝2） |
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Power
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0.0030uW/MHz/gate （standard condition） |
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Supply Voltage
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core |
1.2V |
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I/O |
3.3V, 3.0V, 2.5V |
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Parameter
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Symbol
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Ratings |
unit |
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Supply Voltage
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VDD |
−0.3 ~ 4.0(VDDH）, -0.3 ~ 1.6(VDD) |
V |
Input Voltage
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VIN |
−0.3 ~ VDDH＋0.3 |
V |
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DC Output Current
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IOUT |
±10(8mA buffer) |
mA |
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Storage Temperature
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TSTG |
−65 ~ 150（ceramic） |
℃ |
| −55 ~ 125（plastic） |
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| Recomended Operating Condition |
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Parameter
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Symbol
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Ratings |
unit |
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Supply Voltage
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VDD |
3.0 ~ 3.6（3.3V）, 2.7 ~ 3.3（3.0V）, 2.3 ~ 2.7（2.5V）, 1.1 ~ 1.3（1.2V） |
V |
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Operating Temperature
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TA |
0 ~ 70, −40 ~ 85 |
℃ |
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Single Port RAM
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Sync
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max 512Kbit/block, 2 ~ 128bit, 256 ~ 16K word（1R/W） |
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Sync
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Hight Speed Version, max 512Kbit/block, 2 ~ 256bit, 16 ~ 8K word （1R/W） |
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Sync
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Compact Version, max 32Kbit/block, 2 ~ 128bit, 8 ~ 512 word （1R/W） |
| Dual Port RAM |
Sync
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max 256Kbit/block, 2 ~ 128bit, 128 ~ 8K word （2R/W） |
2 Port RAM |
Sync |
max 16Kbit/block, 2 ~ 128bit, 8 ~ 512 word （1R1W） |
ROM |
Sync |
max 2Mbit/block, 2 ~ 128bit, 64 ~ 32K word （1R） |
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