 |
 |
|
|
|
プロセス技術 |
0.13umCMOS メタル6/7/8層配線 |
|
遅延時間 |
30ps（2入力NANDゲート、FO=2） |
|
消費電力 |
0.0030uW/MHz/ゲート（当社標準条件） |
|
電源電圧 |
core |
1.2V |
|
I/O |
3.3V, 3.0V, 2.5V |
|
|
|
|
項目 |
記号 |
定格値 |
単位 |
|
電源電圧 |
VDD |
−0.3〜4.0(VDDH）、-0.3〜1.6(VDD) |
V |
|
入力電圧 |
VIN |
−0.3〜VDDH＋0.3 |
V |
|
出力電流 |
IOUT |
±10(8mAバッファ) |
mA |
|
保存温度 |
TSTG |
−65〜150（セラミック） |
℃ |
| −55〜125（プラスチック） |
|
|
| |
|
項目 |
記号 |
定格値 |
単位 |
|
電源電圧 |
VDD |
3.0〜3.6（3.3V系）、2.7〜3.3（3.0V系）、2.3〜2.7（2.5V系）、1.1〜1.3（1.2V系） |
V |
動作周囲
温度 |
TA |
0〜70、−40〜85 |
℃ |
|
|
|
|
シングルポートRAM |
同期式 |
最大512Kbit/ブロック、2〜128bit、256〜16Kワード（1R/W）
|
|
同期式 |
高速版 最大512Kbit/ブロック、2〜256bit、16〜8Kワード（1R/W） |
|
同期式 |
Compact版 最大32Kbit/ブロック、2〜128bit、8〜512ワード（1R/W） |
| デュアルポートRAM |
同期式 |
最大256Kbit/ブロック、2〜128bit、128〜8Kワード（2R/W） |
2ポートRAM |
同期式 |
最大16Kbit/ブロック、2〜128bit、8〜512ワード（1R1W） |
ROM |
同期式 |
最大2Mbit/ブロック、2〜128bit、64〜32Kワード（1R） |
|
|
|
