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| KS Series |
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Technology
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0.15umCMOS 7 Layer Metal |
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Performance
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33ps（2 input NAND gate, F.O.＝2） |
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Power
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0.0050uW/MHz/gate （standard condition） |
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Supply Voltage
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core |
1.5V |
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I/O |
3.3V, 3.0V, 2.5V |
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Parameter
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Symbol
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Ratings |
unit |
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Supply Voltage |
VDD |
−0.3 ~ 4.0（VDDH）, −0.3 ~ 2.15（VDD） |
V |
Input Voltage
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VIN |
−0.3 ~ VDDH＋0.3 |
V |
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DC Output Current
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IOUT |
±10（8mA buffer） |
mA |
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Storage Temperature
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TSTG |
−65 ~ 150（ceramic） |
℃ |
| −55 ~ 125（plastic） |
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| Recommended Operating Condition |
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Parameter
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Symbol
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Ratings |
unit |
Supply Voltage
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VDD |
3.0 ~ 3.6（3.3V）, 2.7 ~ 3.3（3.0V）, 2.3 ~ 2.7(2.5V), 1.35 ~ 1.65（1.5V）
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V |
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Operating Temperature
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TA |
0 ~ 70, −40 ~ 85 |
℃ |
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Single Port RAM
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Sync
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max 256Kbit/block, 2 ~ 128bit, 64 ~ 16K word （1R/W） |
Sync
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High Density Version, max 576Kbit/block, 2 ~ 128bit, 16 ~ 16K word （1R/W） |
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Dual Port RAM
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Sync
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max 64Kbit/block, 2 ~ 64bit, 64 ~ 8K word （2R/W） |
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2 Port RAM
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Sync
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max 72Kbit/block, 2 ~ 144bit, 32 ~ 2K word （1R1W） |
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