製品紹介

 KSシリーズ
KS6000シリーズ
  基本仕様
プロセス技術
0.18umCMOSメタル5/6層配線
遅延時間
36ps(2入力NANDゲート、FO=2)
消費電力
0.008uW/MHz/ゲート(当社標準条件)
電源電圧
core
1.8V
I/O
3.3V, 3.0V
  絶対最大定格
項目
記号
定格値 単位
電源電圧
VDD
−0.3〜4.0(3.3V系、3.0V系)、−0.3〜2.2(1.8V系) V
入力電圧
VIN
−0.3〜VDD+0.3、−0.3〜5.6(5V Tolerant, Power On) V
出力電流
IOUT
±30(24mAバッファ) mA
保存温度
TSTG
−65〜150(セラミック)
−55〜125(プラスチック)
  推奨動作条件
項目
記号
定格値 単位
電源電圧
VDD
3.0〜3.6(3.3V系)、2.7〜3.3(3.0V系)、1.65〜1.95(1.8V系) V
動作周囲
温度
TA
0〜70、−40〜85
  メモリ
シングルポートRAM
非同期式
 最大288Kbit/ブロック、2〜72bit、16〜16Kワード(1R/W)
同期式
 最大288Kbit/ブロック、2〜72bit、16〜16Kワード(1R/W)
同期式
 高速版 最大512Kbit/ブロック、2〜128bit、16〜8Kワード(1R/W)
同期式
 大容量版 最大512Kbit/ブロック、2〜128bit、256〜16Kワード(1R/W)
同期式
 Compact版 最大64Kbit/ブロック、2〜64bit、16〜4Kワード(1R/W)
デュアルポートRAM
非同期式
 最大72Kbit/ブロック、2〜72bit、32〜8Kワード(2R/W)
同期式
 最大72Kbit/ブロック、2〜72bit、32〜8Kワード(2R/W)
同期式
 高速版 最大512Kbit/ブロック、2〜128bit、16〜8Kワード(2R/W)
2ポートRAM
同期式
 最大64Kbit/ブロック、4〜128bit、8〜1Kワード(1R1W)
ROM
同期式
 最大512Kbit/ブロック、2〜64bit、128〜32Kワード(1R)