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| KSシリーズ
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KS4000H |
KS4000M |
プロセス技術
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0.35umCMOSメタル4層配線 |
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遅延時間 |
110ps（ 2入力NANDゲート、FO=2） |
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消費電力 |
0.05uW/MHz/ゲート（当社標準条件） |
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電源電圧 |
core |
3.3V, 3.0V, 2.5V |
3.3V, 3.0V, 2.5V |
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I/O |
3.3V, 3.0V, 2.5V |
5.0V, 3.3V, 3.0V |
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項目 |
記号 |
定格値 |
単位 |
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電源電圧 |
VDD |
－0.3～5.6V（5.0V系）、－0.3～3.8（3.3,3.0,2.5V系） |
V |
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入力電圧 |
VIN |
－0.3～VDD＋0.3、－0.3～5.6（5V Tolerant,Power
On） |
V |
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出力電流 |
IOUT |
±30（24mAバッファ） |
mA |
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保存温度 |
TSTG |
－65～150（セラミック） |
℃ |
| －55～125（プラスチック） |
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項目 |
記号 |
定格値 |
単位 |
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電源電圧 |
VDD |
4.5～5.5、4.75～5.25（5.0V系）、3.0～3.6（3.3V系）
2.7～3.3（3.0V系）、2.3～2.7（2.5V系） |
V |
動作周囲
温度 |
TA |
0～70、－40～85 |
℃ |
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シングルポートRAM
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非同期式 |
最大72Kbit/ブロック、8～36bit、16～2Kワード(1R/W) |
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同期式 |
最大144Kbit/ブロック、4～36bit、32～8Kワード(1R/W) |
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2ポートRAM
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非同期式 |
最大16Kbit/ブロック、2～32bit、64～2Kワード（1R1W） |
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ROM |
同期式 |
最大128Kbit/ブロック、4～64bit、64～4Kワード(1R) |
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