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Technology |
0.15um CMOS 7 Layer Metal |
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Performance
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34ps（2 input NAND gate、F.O.＝2） |
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Power
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0.0075uW/MHz/gate （standard condition） |
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Supply Voltage
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core
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1.5V |
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I/O
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3.3V, 3.0V, 2.5V |
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Parameter
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Symbol
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Ratings |
unit |
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Supply Voltage
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VDD
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−0.3 ~ 4.0（VDDH）、−0.3 ~ 2.15（VDD） |
V |
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Input Voltage
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VIN
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−0.3 ~ VDDH＋0.3 |
V |
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DC Output Current
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IOUT
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±10（8mA buffer） |
mA |
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Storage Temperature
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TSTG
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−65 ~ 150（ceramic） |
℃ |
| −55 ~ 125（plastic） |
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| Recomended Operating Condition |
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Parameter
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Symbol
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Ratings |
unit |
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Supply Voltage
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VDD
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3.0 ~ 3.6（3.3V）、2.7 ~ 3.3（3.0V）、2.3 ~ 2.7（2.5V）、1.35 ~ 1.65（1.5V） |
V |
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Operating Teperature
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TA
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0 ~ 70、- 40 ~ 85 |
℃ |
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Single Port RAM
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Sync |
max 256Kbit/block、2 ~ 128bit、64 ~ 16K word (1R/W) |
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Sync
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High Density Version, max 576Kbit/block、2 ~ 128bit、16 ~ 16K word （1R/W） |
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Dual Port RAM
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Sync
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max 64Kbit/block、2 ~ 64bit、16 ~ 8K word （2R/W） |
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2 Port RAM
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Sync
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max 72Kbit/block、2 ~ 144bit、32 ~ 2K word (1R/1W) |
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