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プロセス技術 |
0.15umCMOS メタル7層配線 |
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遅延時間
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34ps（2入力NANDゲート、FO=2） |
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消費電力
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0.0075uW/MHz/ゲート（当社標準条件） |
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電源電圧
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core
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1.5V |
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I/O
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3.3V,3.0V,2.5V |
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項目
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記号
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定格値 |
単位 |
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電源電圧
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VDD
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−0.3〜4.0（VDDH）、−0.3〜2.15（VDD） |
V |
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入力電圧
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VIN
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−0.3〜VDDH＋0.3 |
V |
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出力電流
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IOUT
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±10（8mAバッファ） |
mA |
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保存温度
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TSTG
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−65〜150（セラミック） |
℃ |
| −55〜125（プラスチック） |
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項目
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記号
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定格値 |
単位 |
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電源電圧
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VDD
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3.0〜3.6（3.3V系）、2.7〜3.3（3.0V系）、2.3〜2.7（2.5V系）、1.35〜1.65（1.5V系） |
V |
動作周囲
温度
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TA
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0〜70、−40〜85 |
℃ |
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シングルポートRAM |
同期式 |
最大256Kbit/ブロック、2〜128bit、64〜16Kワード(1R/W) |
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同期式
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大容量版 最大576Kbit/ブロック、2〜128bit、16〜16Kワード（1R/W） |
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デュアルポート RAM
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同期式
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最大64Kbit/ブロック、2〜64bit、64〜8Kワード（2R/W） |
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2ポートRAM
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同期式
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最大72Kbit/ブロック、2〜144bit、32〜2Kワード(1R/1W) |
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