製品紹介

　KGシリーズ
KG500シリーズ
　　基本仕様
プロセス技術
0.18umCMOS メタル5/6層配線
遅延時間
 40ps（2入力NANDゲート、FO=2）
消費電力
 0.010uW/MHz/ゲート（当社標準条件）
電源電圧
core
 1.8V
I/O
 3.3V, 3.0V
　　絶対最大定格
項目
記号
定格値 単位
電源電圧
VDD
 −0.3〜4.0（3.3V系、3.0V系）、−0.3〜2.2（1.8V系） V
入力電圧
VIN
 −0.3〜VDD＋0.3、−0.3〜5.6（5V Tolerant,Power On） V
出力電流
IOUT
 ±30（24mAバッファ） mA
保存温度
TSTG
 −65〜150（セラミック） ℃
−55〜125（プラスチック）
　　推奨動作条件
項目
記号
定格値 単位
電源電圧
VDD

3.0〜3.6（3.3V系）、2.7〜3.3(3.0V系)、1.65〜1.95（1.8V系）

 V
動作周囲
温度
TA
0〜70、−40〜85 ℃
　　メモリ Embedded Type
シングルポートRAM
非同期式
　最大288Kbit/ブロック、2〜72bit、16〜16Kワード（1R/W）
同期式
　最大288Kbit/ブロック、2〜72bit、16〜16Kワード（1R/W）
同期式
　高速版 最大512Kbit/ブロック、2〜128bit、16〜8Kワード（1R/W）
同期式
　大容量版 最大512Kbit/ブロック、2〜128bit、256〜16Kワード(1R/W）
同期式
　Compact版 最大64Kbit/ブロック、2〜64bit、16〜4Kワード（1R/W）
デュアルポートRAM
非同期式
　最大72Kbit/ブロック、2〜72bit、32〜8Kワード（2R/W）
同期式
　最大72Kbit/ブロック、2〜72bit、32〜8Kワード（2R/W）
同期式
　高速版　最大512Kbit/ブロック、2〜128bit、16〜8Kワード（2R/W）
2ポートRAM
同期式
　最大64Kbit/ブロック、4〜128bit、8〜1Kワード（1R1W）
ROM
同期式
　最大512Kbit/ブロック、2〜64bit、128〜32Kワード（1R）