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Technology |
0.25um CMOS 3 Layer Metal |
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Performance
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74ps（2 input NAND gate, F.O.＝2） |
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Power
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0.020uW/MHz/gate （standard condition） |
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Supply Voltage
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core |
2.5V |
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I/O |
3.3V, 3.0V, 2.5V |
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Parameter
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Symbol
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Ratings |
unit |
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Supply Voltage
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VDD |
−0.3 ~ 3.1(VDD), -0.3 ~ 4.0(VDDH) |
V |
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Input Voltage
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VIN |
−0.3 ~ VDD/VDDH＋0.3 |
V |
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DC Output Current
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IOUT |
±15（12mA buffer） |
mA |
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Storage Temperature
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TSTG |
−65 ~ 150（ceramic） |
℃ |
| −55 ~ 125（plastic） |
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| Recomended Operating Condition |
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Parameter
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Symbol
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Ratings |
unit |
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Sypply Voltage
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VDD |
3.0 ~ 3.6（3.3V）、2.7 ~ 3.3(3.0V)、2.3 ~ 2.7（2.5V）
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V |
Operating Temperature
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TA |
0 ~ 70、−40 ~ 85 |
℃ |
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Single Port RAM
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Sync |
max 288Kbit/block、2 ~ 72bit、16 ~ 16K word (1R/W) |
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Sync
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High Speed Version, max 512Kbit/block、2 ~ 128bit、16 ~ 8K word （1R/W） |
Dual Port RAM
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Sync
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max 72Kbit/block、2 ~ 72bit、32 ~ 8K word (2R/W) |
Sync |
High Speed Version, max 256Kbit/block、2 ~ 128bit、16 ~ 8K word （2R/W） |
2 Port RAM |
Sync |
max 18Kbit/block、4 ~ 72bit、8 ~ 256 word (1R1W) |
ROM |
Sync |
max 512Kbit/block、2 ~ 64bit、128 ~ 32K word (1R) |
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