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プロセス技術
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0.25μmCMOS メタル3層配線 |
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遅延時間 |
74ps（2入力NANDゲート、FO=2） |
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消費電力 |
0.020uW/MHz/ゲート（当社標準条件） |
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電源電圧 |
core |
2.5V |
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I/O |
3.3V, 3.0V, 2.5V |
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項目 |
記号 |
定格値 |
単位 |
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電源電圧 |
VDD |
−0.3〜3.1(VDD), -0.3〜4.0(VDDH) |
V |
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入力電圧 |
VIN |
−0.3〜VDD/VDDH＋0.3 |
V |
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出力電流 |
IOUT |
±15（12mAバッファ） |
mA |
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保存温度 |
TSTG |
−65〜150（セラミック） |
℃ |
| −55〜125（プラスチック） |
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項目 |
記号 |
定格値 |
単位 |
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電源電圧 |
VDD |
3.0〜3.6（3.3V系）、2.7〜3.3(3.0V系)、2.3〜2.7（2.5V系）
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V |
動作周囲
温度 |
TA |
0〜70、−40〜85 |
℃ |
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シングルポートRAM |
同期式
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最大288Kbit/ブロック、2〜72bit、16〜16Kワード(1R/W) |
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同期式 |
高速版 最大512Kbit/ブロック、2〜128bit、16〜8Kワード（1R/W） |
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デュアルポートRAM
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同期式 |
最大72Kbit/ブロック、2〜72bit、32〜8Kワード(2R/W) |
同期式 |
高速版 最大256Kbit/ブロック、2〜128bit、16〜8Kワード（2R/W） |
2ポートRAM |
同期式 |
最大18Kbit/ブロック、4〜72bit、8〜256ワード(1R1W) |
ROM |
同期式 |
最大512Kbit/ブロック、2〜64bit、128〜32Kワード(1R) |
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