 |
 |
|
|
プロセス技術
|
0.35umCMOS メタル3層配線 |
|
遅延時間 |
115ps（2入力NANDゲート、FO=2） |
|
消費電力 |
0.06uW/MHz/ゲート（当社標準条件） |
|
電源電圧 |
core |
3.3V, 3.0V |
|
I/O |
3.3V, 3.0V |
|
|
|
|
項目 |
記号 |
定格値 |
単位 |
|
電源電圧 |
VDD |
−0.3〜4.0 |
V |
|
入力電圧 |
VIN |
−0.3〜VDD＋0.3、−0.3〜6.0（5V Tolerant,Power
On） |
V |
|
出力電流 |
IOUT |
±15（12mAバッファ） |
mA |
|
保存温度 |
TSTG |
−65〜150（セラミック） |
℃ |
| −55〜125（プラスチック） |
|
|
| |
|
項目 |
記号 |
定格値 |
単位 |
|
電源電圧 |
VDD |
3.0〜3.6、2.7〜3.6 |
V |
動作周囲
温度 |
TA |
0〜70、−40〜85 |
℃ |
|
|
|
シングルポートRAM |
同期式 |
最大256Kbit/ブロック、2〜64bit、16〜16Kワード(1R/W) |
同期式 |
高速版 最大64Kbit/ブロック、2〜64bit、16〜4Kワード(1R/W) |
|
デュアルポート RAM
|
同期式 |
最大64Kbit/ブロック、2〜64bit、16〜4Kワード（2R/W） |
|
ROM |
同期式 |
最大512Kbit/ブロック、2〜64bit、64〜32Kワード(1R) |
|
|
|
